روش تحقیق

برررسی و ساخت سنسورها و سنسور

 

امروز وابستگی علوم کامپیوتر، مکانیک و الکترونیک نسبت به هم زیاد شده‌اند و هر مهندس و با محقق نیاز به فراگیری آن‌ها دارد، و لذا چون فراگیری هر سه آنها شکل به نظر می‌رسد حداقل باید یکی از آن‌ها را کاملاً آموخت و از مابقی اطلاعاتی در حد توان فرا گرفت.

این تحقیق دانشجویی برررسی و ساخت سنسورها و سنسور مشتمل بر  ۱۰۶ صفحه است، برای دیدن فهرست مطالب مقاله و جزئیات آن به اطلاعات اضافی زیر مراجعه فرمایید.

روش تحقیق

فهرست مطالب

مقدمه ……………………………………………………………………………………………………………………۷

فصل ۱ :  سنسور چیست ؟……………………………………………………………………………………… ۸

فصل ۲ : تکنیک های تولید سنسور……………………………………………………………………………۱۱

فصل ۳ : سنسور سیلیکانی ………………………………………………………………………………………۱۳

۳_۱ : خواص سیلیکان ……………………………………………………………………………………..۱۵-۱۳

۳_۲ : مراحل تولید در تکنولوژی سیلیکان……………………………………………………………۱۶-۱۵

۳_۳ : سنسور درجه حرارت ……………………………………………………………………………………۱۷

۳_۴ : سنسور درجه حرارت مقاومتی …………………………………………………………………………۱۷

۳_۵ : سنسور حرارت اینترفیس ………………………………………………………………………………..۱۹

۳_۶ : سنسورهای حرارتی دیگر و کاربرد آنها……………………………………………………………..۲۰

۳_۷ : سنسورهای فشار…………………………………………………………………………………………….۲۱

۳-۸ : اثر پیزو مقاومتی …………………………………………………………………………………………….۲۲

۳-۹ : سنسورهای فشار پیزو مقاومتی ………………………………………………………………………..۲۳

۳_۱۰ : اصول سنسورهای فشار جدید………………………………………………………………………..۲۵

۳_۱۱ : سنسورهای نوری …………………………………………………………………………………………۲۶

۳_۱۲ : مقاومت های نوری ……………………………………………………………………………………..۲۷

۳_۱۳ : دیودهای نوری و ترانزیستورهای نوری…………………………………………………………..۲۸

۳-۱۴ : سنسورهای میدان مغناطیسی ………………………………………………………………………….۳۰

فصل ۴ : مولدهای هال و مقاومتهای مغناطیسی…………………………………………………………….۳۱

۴_۱ : کاربردهای ممکن سنسورهای میدان مغناطیسی……………………………………………………۳۲

فصل ۵ : سنسورهای میکرومکانیکی …………………………………………………………………………..۳۴

۵-۱ : سنسورهای شتاب / ارتعاش …………………………………………………………………………….۳۵

۵_۲ : سنسورهای میکروپل ………………………………………………………………………………………۳۷

فصل ۶ : سنسورهای فیبر نوری ………………………………………………………………………………..۳۹

۶_۱ : ساختمان فیبر ها ……………………………………………………………………………………………۴۰

۶_۲ : سنسورهای چند حالته ……………………………………………………………………………………۴۱

۶_۳ : سنسورهای تک حالته …………………………………………………………………………………….۴۴

۶_۴ : سنسورهای فیبر نوری توزیع شده ……………………………………………………………………۴۶

فصل ۷ : سنسورهای شیمیایی ………………………………………………………………………………….۵۲

۷_۱ : بیو سنسورها ………………………………………………………………………………………………….۵۶

۷_۲ : سنسورهای رطوبت ………………………………………………………………………………………..۵۸

فصل ۸ : سنسورهای رایج و کاربرد آن ………………………………………………………………………۶۰

۸_۱ : سنسورهای خازنی ………………………………………………………………………………………….۶۰

فصل ۹ : سنسور ویگاند…………………………………………………………………………………………….۶۲

فصل ۱۰ : سنسورهای تشدیدی………………………………………………………………………………….۶۶

۱۰_۱ : سنسورهای تشدیدی کوارتز……………………………………………………………………………۶۷

۱۰_۲ : سنسورهای موج صوتی سطحی ……………………………………………………………………..۶۹

فصل ۱۱ : سنسورهای مافوق صوت …………………………………………………………………………..۷۱

فصل ۱۲ : سنسور پارک ……………………………………………………………………………………………۷۹

۱۲-۱: پتاسیومترها …………………………………………………………………………………………………..۷۹

۱۲-۲ : خطی بودن پتاسیومترها …………………………………………………………………………………۸۰

۱۲-۳ : ریزولوشن پتاسیومترها …………………………………………………………………………………۸۲.

۱۲-۴ : مسائل نویزالکتریکی در پتاسیومترها………………………………………………………………..۸۴

۱۲-۵ : ترانسدیوسرهای جابه جایی القایی …………………………………………………………………۸۵

۱۲-۶ : ترانسدیوسرهای رلوکتانس متغیر……………………………………………………………………..۸۵

۱۲-۷ : ترانسفورمورهای تزویج متغیر: LDTوLVDT ………………………………………………89

۱۲-۸ : ترانسدیوسرهای تغییرمکان جریان ادی…………………………………………………………… ۹۴

۱۲-۹ : ترانسدیوسرهای تغییرمکان خازنی ……………………………………………………………….. ۹۶

۱۲-۱۰ : رفتارخطی ترانسدیوسرهای تغییرمکان خازنی ………………………………………………. ۹۹

۱۲-۱۱: سنسورهای حرکت ازنوع نوری …………………………………………………………………..۱۰۰

۱۲-۱۲ : ترانسدیوسرهای تغییرمکان اولتراسوند …………………………………………………………۱۰۱

۱۲-۱۳ : سنسورهای پرآب هال سرعت چرخش وسیتم های بازدارنده

(کمک های پارکینگ ) ………………………………………………………………………………………….۱۰۴

۱۲-۱۴ : سیستم های اندازه گیری تغییرمکان اثرهال …………………………………………………..۱۰۵

۱۲-۱۵ : سنسوردوبل پارک ……………………………………………………………………………………۱۰۶

۱۲-۱۶ : آی سی ۵۵۵ درمواد ترانسمیتر……………………………………………………………………۱۰۷

 

 

خرید با کلیه کارت های بانکی (دانلود فایل بلافاصله پس از خرید)

روش تحقیق

.

خلاصه ای کوتاه از مقاله برررسی و ساخت سنسورها و سنسور را در زیر می توانید ببینید.

مقدمه

امروز وابستگی علوم کامپیوتر، مکانیک و الکترونیک نسبت به هم زیاد شده‌اند و هر مهندس و با محقق نیاز به فراگیری آن‌ها دارد، و لذا چون فراگیری هر سه آنها شکل به نظر می‌رسد حداقل باید یکی از آن‌ها را کاملاً آموخت و از مابقی اطلاعاتی در حد توان فرا گرفت.

سنسور چیست؟

امروزه بحث سنسور به اهمیت مفاهیمی از قبیل میکروپرسسور (پردارزش گر)، انواع مختلف حافظه وسایر عناصر الکترونیکی رسیده است، با این وجود سنسور هنوز هم فاقد یک تعریف دقیق است همچنانکه کلمات الکترونیکی از قبیل پروب، بعدسنج، پیک آپ یا ترنسدیوسر هنوز هم معانی لغوی ندارند.

تکنیک‌هایی در تولید سنسور:

تکنولوژی سنسور امروزه براساس تعداد نسبتاً زیادی از سنسورهای غیرمینیاتوری استوار شده است. این امر با بررسی ابعاد هندسی سنسوریهایی برای اندازه‌گیری فاصله، توان، شتاب، سیال عبوری فشار و غیره مشاهده می‌شود. برای اکثر سنسورها این ابعاد از cm10 تجاوز می‌کند.

خواص سیلیکان واثرات آن بر سنسور:

سیلیکان یک ماده مناسب برای تکنولوژی سنسور است به ظرط آن که اثرات فیزیکی و شیمیایی کافی با قوت قابل قبول نشان دهد که می‌تواند در ساختارهای غیرپیچیده در طول گستره وسیعی از درجه حرارت‌ها بکار برده شود. استفاده از سیلیکان دارای چندین پی آمد برای سنسورها می‌باشد. نخست آن که، خواص فیزیکی سیلیکان می‌تواند مستقیماً برای اندازه‌گیری کمیت اندازه‌گیری شوند.

سنسورهای تشدیدی

بسیاری از سنسورهایی که امروزه به کار می‌روند آنالوگ هستند. تطبیق برای پردازش میکروالکترونیکی اطلاعات با تبدیل سیکنال‌های آنالوگ به دیجیتال بدست می‌آید.پردازش با پیچیدگی کم یا زیاد بستگی به تکنولوژی به کار رفته در سنسور دارد.

سنسورهای تشدیدی کوارتز:

کوارتز ماده‌ای متبلور با خواص ارتجاعی بینهایت ثابت  و با قابلیت‌های پیزو الکترویک است و مقادیر وسیعی از آن برای سالیان بسیاری به عنوان تثبت کننده فرکانس در مدارات الکترونیکی بکار رفته است و بنابراین اطلاعات در مورد آن بسیار دقیق است با استفاده از کوارتز دقت مکانیکی بالا می‌رود و این مزیت بزرگ این سنسور است. تشدید کننده‌های کوارتز ورقه‌های نازکی از کوارتز متبلور هستند که الکترودها روی آن نصب شده‌اند. این ورقه‌ها از مونوکریستالهای کوارتز بریده شده‌اند.

سنسور موج صوتی سطحی (SAW)

سنسورهای SAW  مدت زیادی است که برای اجزاء خاص الکترونیکی همانند خطوط تأخیر فیلترهای آنالوگ و دیجیتال و تشدید کننده‌ها استفاده شده‌اند این نوع اجزاء بخوبی از اثرات محیطی محافظت شده‌اند.

ترانسدیوسرهای تغییر مکان جریان ادی

ترانسدیوسر جریان ادی از یک سنسور رلوکتانس متغیر تشکیل شده است. اما تفاوت عمده ای وجود دارد : سنسور رلوکتانس متغیر تنها ماده فرومغناطیس را تشخیص می دهد در صورتی که جسمی که توسط حسگر جریان ادی تشخیص داده می شود کافیست دارای خاصیت هدایت الکتریکی باشد. بنابراین، پرابهای جریان ادی نسبت به سنسورهای رلوکتانس متغیر دارای موارد کاربری بیشتری هستند.

رفتار خطی ترانسدیوسرهای تغییر مکان خازنی

در حالت آرایش خازن دو صفحه ای همانگونه که در شکل (۱۲-۱۶)a مشخص است، تغییرات C وقتی d تغییر می کند، به شکل هیپربولیک است و فقط در فاصله کوتاهی می توان آن را خطی در نظر گرفت. در این حالت، حساسیت DC/Ddمتناسب با ۱/d۲ می باشد.

منابع

برررسی و ساخت سنسورها و سنسور

اصول و کاربرد سنسورها نوشته پیتر هاپتمن

۲- Binder , J . sensors and actuaters 4

۳- Kawamura Y. Proc. TRANDUCER

۴- Baltes, H .P. and Popovic ,R.S . Proc . IEEE 74

۵- Angell, J.B . Silicon Micromechanical Device ,

and Electro Optics

۶- Moretti ,M . Laser Focus

خرید با کلیه کارت های بانکی (دانلود فایل بلافاصله پس از خرید)

روش تحقیق

.

برچسب ها

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

13 − سه =